MOSFET Infineon, canale N 700 V, 600 mΩ Miglioramento, 8.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 215-2508
- Codice costruttore:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-2508
- Codice costruttore:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 600mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 10.5W | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 10.5W | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 700 V, tensione di sorgente di drenaggio da 700 V, corrente di drenaggio continua da 8,5 A - IPD70R600P7SAUMA1
Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona in modalità di potenziamento ed è progettato per i circuiti che richiedono un'elevata capacità di tensione drain-source, fornendo al contempo prestazioni di conduzione moderate e gestione termica per layout SMD compatti.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale drain-source di 700 V consente attività di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 8.5 A supporta la conduzione del carico sostenuta
• Rds(on) di 600 mΩ limita le perdite di conduzione nei progetti di media potenza
• La dissipazione di potenza massima di 10,5 W consente un margine termico affidabile
• La carica gate tipica di 10,5 nC consente transizioni gate più veloci
• La tolleranza gate di ±20 V consente tensioni standard di gate drive
• La corrente di drenaggio continua di 8.5 A supporta la conduzione del carico sostenuta
• Rds(on) di 600 mΩ limita le perdite di conduzione nei progetti di media potenza
• La dissipazione di potenza massima di 10,5 W consente un margine termico affidabile
• La carica gate tipica di 10,5 nC consente transizioni gate più veloci
• La tolleranza gate di ±20 V consente tensioni standard di gate drive
Applicazioni
• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per le fasi di conversione dell'alimentazione sul lato primario
• Utilizzato con topologie a commutazione rigida e a risonanza
• Può essere utilizzato per ballast di illuminazione industriale
• Prodotto impiegato in moduli di alimentazione SMD compatti
• Ideale per le fasi di conversione dell'alimentazione sul lato primario
• Utilizzato con topologie a commutazione rigida e a risonanza
• Può essere utilizzato per ballast di illuminazione industriale
• Prodotto impiegato in moduli di alimentazione SMD compatti
Quale intervallo di temperatura può resistere al funzionamento?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, coprendo ampi ambienti termici.
Quanti collegamenti elettrici presenta per il layout del circuito stampato?
Il dispositivo è dotato di tre pin in un contenitore a montaggio superficiale TO‐252 che richiede un design con ingombro SMD convenzionale.
Quale caratteristica di conduzione determina la caduta di tensione durante lo stato di accensione?
La resistenza in stato attivo di 600 mΩ definisce la caduta di tensione a una determinata corrente di drenaggio e influisce sulle perdite di conduzione.
In che modo l'azionamento del gate influisce sulle prestazioni di commutazione?
La carica gate tipica di 10,5 nC in condizioni Vgs influisce sulla corrente di azionamento e sulla velocità di commutazione richieste per una determinata capacità gate‐driver.
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