MOSFET Infineon, canale N 700 V, 360 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
214-4391
Codice costruttore:
IPD70R360P7SAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-252

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

59.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.4nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

900mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.42mm

Lunghezza

6.65mm

Altezza

2.35mm

Standard automobilistico

No

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 700 V, tensione di sorgente di drenaggio da 700 V, corrente di drenaggio continua da 12,5 A - IPD70R360P7SAUMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per la conversione di potenza in modalità switching e altri ruoli di gestione della potenza. Si tratta di un componente a montaggio superficiale progettato per l'uso nei casi in cui è necessaria una robusta capacità di blocco della tensione e di commutazione in assemblaggi compatti. Il dispositivo funziona in un ampio intervallo di temperature e supporta le tensioni di gate-drive tipiche per le applicazioni di elettronica di potenza.

Caratteristiche e vantaggi:


• La capacità di blocco a 700 V consente progetti ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 12.5 A supporta correnti di carico sostanziali
• RDS(on) 360 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 59,5 W consente una gestione termica prolungata
• La carica gate di 16,4 nC riduce le perdite di energia di commutazione
• La classificazione VGS ±16 V consente margini gate-drive standard

Applicazioni


• Adatto per interruttori SMPS primari ad alta tensione
• Ideale per gli stadi dei convertitori di potenza industriali
• Utilizzato con topologie flyback e forward negli alimentatori
• Può essere utilizzato per le estremità frontali con correzione del fattore di potenza
• Adatto per test ad alta tensione e configurazioni di laboratorio

Quale intervallo termico può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -40 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici impegnativi.

Quale contenitore devo aspettarmi per considerare il layout della scheda?


Il componente è fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252 con tre pin per un'integrazione semplice dell'ingombro del circuito stampato.

Qual è la caratteristica di conduzione in avanti durante la commutazione?


La tensione diretta è di 0,9 V, che influisce sui calcoli della perdita di conduzione durante il funzionamento in stato attivo.

In che modo la progettazione dell'azionamento del gate deve tenere conto del comportamento di commutazione?


Utilizzare la carica di gate tipica di 16,4 nC per misurare la corrente del driver e la temporizzazione di commutazione per le velocità di transizione desiderate.

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