MOSFET Infineon, canale N 700 V, 360 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN70R360P7SATMA1
- Codice RS:
- 215-2526
- Codice costruttore:
- IPN70R360P7SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-2526
- Codice costruttore:
- IPN70R360P7SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 360mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 7.2W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 360mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 7.2W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 700 V, tensione massima della sorgente di drenaggio da 700 V, corrente di drenaggio continua massima da 12,5 A - IPN70R360P7SATMA1
Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un intervallo di temperatura ambiente esteso ed è adatto per i circuiti che richiedono una gestione robusta della tensione, una bassa caduta di conduzione in avanti e un azionamento gate controllato. Il componente è fornito in un pacchetto compatto SOT-223 destinato alle fasi di potenza montate su scheda.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tolleranza di drenaggio nominale di 700 V consente la commutazione ad alta tensione
• L'Rds(on) di 360 mΩ riduce le perdite di conduzione durante i cicli di carico
• La corrente di drenaggio continua di 12.5 A supporta una portata di potenza moderata
• La carica di gate tipica di 16.4 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• La tensione diretta di 0,9 V riduce la caduta di tensione in modalità di conduzione
• La dissipazione massima di 7,2 W gestisce il carico termico in layout compatti
• L'Rds(on) di 360 mΩ riduce le perdite di conduzione durante i cicli di carico
• La corrente di drenaggio continua di 12.5 A supporta una portata di potenza moderata
• La carica di gate tipica di 16.4 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile
• La tensione diretta di 0,9 V riduce la caduta di tensione in modalità di conduzione
• La dissipazione massima di 7,2 W gestisce il carico termico in layout compatti
Applicazioni
• Adatto per alimentatori switching offline
• Ideale per convertitori lato primario ad alta tensione
• Utilizzato con topologie a commutazione rigida o risonanti
• Può essere utilizzato per guide di alimentazione ausiliarie in sistemi industriali
• Utilizzato per le fasi di boost e flyback a corrente media
• Ideale per convertitori lato primario ad alta tensione
• Utilizzato con topologie a commutazione rigida o risonanti
• Può essere utilizzato per guide di alimentazione ausiliarie in sistemi industriali
• Utilizzato per le fasi di boost e flyback a corrente media
Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati per un funzionamento sicuro?
Il dispositivo non deve essere azionato oltre ±20 V tra il gate e la sorgente per evitare lo stress da ossido di gate.
Come si comporta il dispositivo a temperature estreme?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e ad alta temperatura con Rds(on) degradate previste a temperature elevate.
Quali sono le considerazioni di montaggio rilevanti per la gestione termica?
Come contenitore SOT-223 a montaggio superficiale, si consiglia di dissipare un'adeguata area di rame e vie termiche sul circuito stampato fino al limite di potenza di 7,2 W.
In che modo la carica del gate influisce sui requisiti di azionamento?
La carica gate tipica di 16,4 nC definisce la corrente di azionamento e le perdite di commutazione, informando la scelta dei driver gate e degli snubber per la velocità di commutazione desiderata.
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