MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 360 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante
- Codice RS:
- 217-2580
- Codice costruttore:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 1,035 € | 77,63 € |
| 150 - 300 | 1,007 € | 75,53 € |
| 375 - 675 | 0,981 € | 73,58 € |
| 750 - 1800 | 0,956 € | 71,70 € |
| 1875 + | 0,932 € | 69,90 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2580
- Codice costruttore:
- IPS70R360P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | TO-251 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 360mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 53W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Altezza | 9.82mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo di package TO-251 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 360mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 53W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Altezza 9.82mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. Il più recente CoolMOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc. la nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida, in combinazione con un eccellente rapporto prezzo/prestazioni e un livello di facilità d'uso all'avanguardia art. La tecnologia soddisfa i più elevati standard di efficienza e supporta un'elevata densità di potenza, consentendo ai clienti di passare a progetti molto sottili.
Perdite estremamente basse dovute a FOMRDS(ON)*Qg molto basso e RDS(ON)*Eoss
Eccellente comportamento termico
Diodo di protezione ESD integrato
Basse perdite di commutazione (Eoss)
Convalida prodotto conf. Standard JEDEC
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