MOSFET Infineon, canale N 700 V, 360 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPAN70R360P7SXKSA1
- Codice RS:
- 215-2489
- Codice costruttore:
- IPAN70R360P7SXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 20 unità, in una confezione da 20*
19,16 €
(IVA esclusa)
23,38 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 460 unità in spedizione dal 05 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 0,958 € | 19,16 € |
| 40 - 80 | 0,91 € | 18,20 € |
| 100 - 180 | 0,872 € | 17,44 € |
| 200 - 480 | 0,834 € | 16,68 € |
| 500 + | 0,776 € | 15,52 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-2489
- Codice costruttore:
- IPAN70R360P7SXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 360mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 26.5W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 360mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 26.5W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie di MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS™ 700V Infineon soddisfa il mercato degli SMPS a bassa potenza, come ad esempio caricabatterie per telefoni cellulari o adattatori per notebook, offrendo vantaggi prestazionali fondamentali rispetto alle tecnologie di super giunzione utilizzate oggi. La tecnologia soddisfa i più elevati standard di efficienza e supporta un'elevata densità di potenza, consentendo ai clienti di passare a progetti molto sottili. Il più recente CoolMOS™P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.
Perdite estremamente basse dovute a FOMRDS(ON)*Qg molto basso e RDS(ON)*Eoss
Eccellente comportamento termico
Diodo di protezione ESD integrato
Basse perdite di commutazione (Eoss)
Link consigliati
- MOSFET Infineon 360 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 360 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPA70R360P7SXKSA1
- MOSFET Infineon 360 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 360 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 360 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 360 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPSA70R360P7SAKMA1
- MOSFET Infineon 360 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPD70R360P7SAUMA1
- MOSFET Infineon 360 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPN70R360P7SATMA1