MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 360 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante IPS70R360P7SAKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2581
Codice costruttore:
IPS70R360P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

TO-251

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

53W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.4nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.82mm

Larghezza

2.4 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. Il più recente CoolMOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc. la nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida, in combinazione con un eccellente rapporto prezzo/prestazioni e un livello di facilità d'uso all'avanguardia art. La tecnologia soddisfa i più elevati standard di efficienza e supporta un'elevata densità di potenza, consentendo ai clienti di passare a progetti molto sottili.

Perdite estremamente basse dovute a FOMRDS(ON)*Qg molto basso e RDS(ON)*Eoss

Eccellente comportamento termico

Diodo di protezione ESD integrato

Basse perdite di commutazione (Eoss)

Convalida prodotto conf. Standard JEDEC

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