MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 360 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IPSA70R360P7SAKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4422
Codice costruttore:
IPSA70R360P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.4nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

59.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.3mm

Larghezza

6.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.6mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS 700V soddisfa il mercato degli SMPS a bassa potenza, come ad esempio caricabatterie per telefoni cellulari o adattatori per notebook, offrendo vantaggi fondamentali in termini di prestazioni.

Supporta meno dimensioni magnetiche con costi BOM inferiori

Ha un'elevata robustezza ESD

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