MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 360 mΩ Miglioramento, 12.5 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IPSA70R360P7SAKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4422
Codice costruttore:
IPSA70R360P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

IPAK

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

59.5W

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.3mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS 700V soddisfa il mercato degli SMPS a bassa potenza, come ad esempio caricabatterie per telefoni cellulari o adattatori per notebook, offrendo vantaggi fondamentali in termini di prestazioni.

Supporta meno dimensioni magnetiche con costi BOM inferiori

Ha un'elevata robustezza ESD

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