MOSFET Infineon, canale N 700 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
214-4393
Codice Distrelec:
304-39-408
Codice costruttore:
IPD70R900P7SAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-252

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

900mV

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

30.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.42mm

Lunghezza

6.65mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.35mm

Standard automobilistico

No

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 700 V, tensione massima della sorgente di drenaggio di 700 V, corrente di drenaggio continua massima di 6 A - IPD70R900P7SAUMA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per la conversione di potenza e le applicazioni di commutazione. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è destinato a progetti di alimentazione a montaggio superficiale in cui sono richieste un'elevata tensione di blocco e una capacità di corrente moderata. Il dispositivo supporta il funzionamento in modalità di potenziamento ed è adatto per i sistemi che richiedono componenti di potenza compatti con caratteristiche di gate-drive controllate.

Caratteristiche e vantaggi:


• Tensione di blocco di 700 V che consente la commutazione ad alta tensione
• corrente di drenaggio continua di 6 A per una gestione del carico moderata
• Rds(on) di 900 mΩ che limita le perdite di conduzione sotto carico
• Carica gate tipica di 6.8 nC per transizioni gate più veloci
• Dissipazione di potenza massima di 30.5 W per l'intervallo termico
• Valore nominale massimo gate-source di 16 V che consente un azionamento gate robusto

Applicazioni


• Adatto per le mansioni di interruttore primario SMPS in alimentatori ad alta tensione
• Ideale per alimentatori offline che richiedono un blocco a 700 V
• Utilizzato con convertitori di potenza che richiedono una corrente continua moderata
• Può essere utilizzato per topologie in modalità commutata in apparecchiature industriali
• Adatto per gruppi di alimentazione compatti a montaggio superficiale

Che tipo di contenitore è fornito per il montaggio su scheda?


È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252 che consente il fissaggio del circuito stampato saldato e un contatto termico efficiente.

In che modo l'intervallo di temperatura influisce sull'implementazione in ambienti difficili?


Il dispositivo è specificato per funzionare da -40 °C fino a 150 °C, supportando applicazioni con temperature di giunzione elevate e ampie variazioni ambientali.

Quali vincoli dell'azionamento del gate devono essere osservati nei progetti?


Il gate non deve superare ±16 V rispetto alla sorgente, pertanto i circuiti di azionamento del gate devono includere il bloccaggio o lo spostamento di livello per evitare la sovratensione.

In che modo il canale e la modalità del dispositivo influenzano la topologia del circuito?


Essendo un dispositivo di potenziamento a canale N, richiede una tensione gate-source positiva per condurre ed è adatto per la commutazione low-side o high-side con disposizioni di driver appropriate.

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