MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 700 V, 900 mΩ Miglioramento, 49 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD65R190C7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7409
Codice costruttore:
IPD65R190C7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

49A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

CoolMOS C7

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Dissipazione di potenza massima Pd

72mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon Cool MOS C7 è un rivoluzionario passo avanti nella tecnologia, che offre la RDS(on)/contenitore più bassa del mondo e, grazie alle sue basse perdite di commutazione, miglioramenti dell'efficienza su tutta la gamma di carico.

Tensione 650V

Rivoluzionario R DS(on)/package migliore della categoria

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (Eoss)

Carica di gate inferiore Qg

Risparmio di spazio grazie all'uso di contenitori più piccoli o riduzione di ricambi

12 anni di esperienza nella produzione di tecnologia di giunzione super

Margine di sicurezza migliorato e adatto sia per alimentatori switching che solari applicazioni inverter

Perdite di conduzione/contenitore minimo

Basse perdite di commutazione

Migliore efficienza con carichi leggeri

Aumento della densità di potenza

Eccezionale qualità Cool MOS™

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