MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 700 V, 900 mΩ Miglioramento, 49 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2695,00 €

(IVA esclusa)

3287,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 08 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +1,078 €2.695,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
220-7408
Codice costruttore:
IPD65R190C7ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

49A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-252

Serie

CoolMOS C7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

72mW

Tensione diretta Vf

0.9V

Larghezza

6.22 mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon Cool MOS C7 è un rivoluzionario passo avanti nella tecnologia, che offre la RDS(on)/contenitore più bassa del mondo e, grazie alle sue basse perdite di commutazione, miglioramenti dell'efficienza su tutta la gamma di carico.

Tensione 650V

Rivoluzionario R DS(on)/package migliore della categoria

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (Eoss)

Carica di gate inferiore Qg

Risparmio di spazio grazie all'uso di contenitori più piccoli o riduzione di ricambi

12 anni di esperienza nella produzione di tecnologia di giunzione super

Margine di sicurezza migliorato e adatto sia per alimentatori switching che solari applicazioni inverter

Perdite di conduzione/contenitore minimo

Basse perdite di commutazione

Migliore efficienza con carichi leggeri

Aumento della densità di potenza

Eccezionale qualità Cool MOS™

Link consigliati