MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD70R900P7SAUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4394
Codice costruttore:
IPD70R900P7SAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-252

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

30.5W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.35mm

Larghezza

6.42 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.65mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS 700V Infineon soddisfa il mercato degli SMPS a bassa potenza, come ad esempio caricabatterie per telefoni cellulari o adattatori per notebook, offrendo vantaggi fondamentali in termini di prestazioni.

Supporta meno dimensioni magnetiche con costi BOM inferiori

Ha un'elevata robustezza ESD

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