MOSFET Infineon, canale N 700 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD70R900P7SAUMA1

Codice RS:: 214-4394
Codice costruttore:: IPD70R900P7SAUMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 700 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD70R900P7SAUMA1

Prezzo per 50 unità, in una confezione da 50*

23,35 €

(IVA esclusa)

28,50 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

1600 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
50 +	0,467 €	23,35 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 214-4394
Codice costruttore:: IPD70R900P7SAUMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	700V
	Tipo di package	TO-252
	Serie	700V CoolMOS P7
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	900mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	30.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6.8nC
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	16V
	Tensione diretta Vf	900mV
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	6.65mm
	Altezza	2.35mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	6.42mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V
	Tipo di package TO-252
	Serie 700V CoolMOS P7
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 900mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 30.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.8nC
	Minima temperatura operativa -40°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V
	Tensione diretta Vf 900mV
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 6.65mm
	Altezza 2.35mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 6.42mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPD70R900P7SAUMA1

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 700 V, tensione massima della sorgente di drenaggio di 700 V, corrente di drenaggio continua massima di 6 A - IPD70R900P7SAUMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per la conversione di potenza e le applicazioni di commutazione. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è destinato a progetti di alimentazione a montaggio superficiale in cui sono richieste un'elevata tensione di blocco e una capacità di corrente moderata. Il dispositivo supporta il funzionamento in modalità di potenziamento ed è adatto per i sistemi che richiedono componenti di potenza compatti con caratteristiche di gate-drive controllate.

Caratteristiche e vantaggi:

• Tensione di blocco di 700 V che consente la commutazione ad alta tensione
• corrente di drenaggio continua di 6 A per una gestione del carico moderata
• Rds(on) di 900 mΩ che limita le perdite di conduzione sotto carico
• Carica gate tipica di 6.8 nC per transizioni gate più veloci
• Dissipazione di potenza massima di 30.5 W per l'intervallo termico
• Valore nominale massimo gate-source di 16 V che consente un azionamento gate robusto

Applicazioni

• Adatto per le mansioni di interruttore primario SMPS in alimentatori ad alta tensione
• Ideale per alimentatori offline che richiedono un blocco a 700 V
• Utilizzato con convertitori di potenza che richiedono una corrente continua moderata
• Può essere utilizzato per topologie in modalità commutata in apparecchiature industriali
• Adatto per gruppi di alimentazione compatti a montaggio superficiale

Che tipo di contenitore è fornito per il montaggio su scheda?

È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-252 che consente il fissaggio del circuito stampato saldato e un contatto termico efficiente.

In che modo l'intervallo di temperatura influisce sull'implementazione in ambienti difficili?

Il dispositivo è specificato per funzionare da -40 °C fino a 150 °C, supportando applicazioni con temperature di giunzione elevate e ampie variazioni ambientali.

Quali vincoli dell'azionamento del gate devono essere osservati nei progetti?

Il gate non deve superare ±16 V rispetto alla sorgente, pertanto i circuiti di azionamento del gate devono includere il bloccaggio o lo spostamento di livello per evitare la sovratensione.

In che modo il canale e la modalità del dispositivo influenzano la topologia del circuito?

Essendo un dispositivo di potenziamento a canale N, richiede una tensione gate-source positiva per condurre ed è adatto per la commutazione low-side o high-side con disposizioni di driver appropriate.