MOSFET Infineon, canale N 800 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R900P7ATMA1

Codice RS:: 215-2518
Codice costruttore:: IPD80R900P7ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 800 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD80R900P7ATMA1

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Codice RS:: 215-2518
Codice costruttore:: IPD80R900P7ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	800V
	Serie	800V CoolMOS P7
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	900mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	15nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	45W
	Tensione diretta Vf	900mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V
	Serie 800V CoolMOS P7
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 900mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 45W
	Tensione diretta Vf 900mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPD80R900P7ATMA1

MOSFET Infineon 800 V CoolMOS serie P7, tensione sorgente di drenaggio 800 V, corrente di drenaggio continua 6 A - IPD80R900P7ATMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e la commutazione ad alta efficienza energetica in ambienti difficili. Funziona in un ampio intervallo di temperature e viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale adatto per layout di schede compatti, il che lo rende adatto per applicazioni industriali ed elettroniche di potenza in cui è richiesta una robusta gestione della tensione.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 800 V consente la commutazione del sistema ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 6 A supporta correnti di carico moderate
• La bassa resistenza di accensione di 900 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 15 nC consente una risposta gate drive più rapida
• La dissipazione di potenza massima di 45 W gestisce notevoli sollecitazioni termiche
• La tolleranza gate-source fino a 20 V accoglie le comuni tensioni gate-drive

Applicazioni

• Ideale per alimentatori in convertitori ad alta tensione
• Utilizzato per la commutazione dello stadio di alimentazione in modalità switching
• Adatto per i front-end degli inverter industriali
• Può essere utilizzato per circuiti di azionamento motore ad alta tensione
• Utilizzato con gruppi compatti a montaggio superficiale su circuiti stampati

Quali temperature estreme può sopportare durante il funzionamento?

È specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, coprendo applicazioni a bassa temperatura e a giunzione rialzata.

Come viene montato su un circuito stampato e quale contenitore utilizza?

Viene fornito in un contenitore TO-252 progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale per risparmiare area sulla scheda.

Quale comportamento di conduzione devo aspettarmi sotto carico?

Il dispositivo presenta una resistenza in stato attivo fino a 900 mΩ, influenzando le perdite di conduzione e il design termico per correnti continue fino a 6 A.

Quali sono i requisiti del gate drive necessari per un funzionamento sicuro?

La tensione nominale gate-source è di ±20 V e la carica gate totale tipica è di 15 nC, informando la capacità del driver e il budget energetico di commutazione.