MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 360 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
217-2533
Codice costruttore:
IPD80R360P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V CoolMOS™ P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni flyback, tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e potenza industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché alle parti della concorrenza testate in applicazioni flyback tipiche. Consente inoltre progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e prodotti DPAK R DS(on) migliori. Nel complesso, aiuta i clienti a risparmiare sui costi delle distinte materiali e a ridurre gli sforzi di assemblaggio.

RDS(ON)*Eoss FOM migliore della categoria; Qg, Ciss e Coss ridotti

RDS(ON) DPAK migliore della categoria

V(GS)th migliore della categoria di 3V e V(GS)th variazione minima di ±0,5 V.

Diodo Zener integrato con protezione ESD

Portafoglio completamente ottimizzato

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