MOSFET Infineon, canale N 600 V, 360 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
214-4387
Codice costruttore:
IPD60R360P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

41W

Tensione diretta Vf

900mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.42mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.65mm

Altezza

2.35mm

Standard automobilistico

No

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 600 V, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 9 A - IPD60R360P7ATMA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di commutazione e conversione di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto per ambienti difficili ed è progettato per gestire elevate tensioni di drenaggio-sorgente fornendo al contempo un comportamento di conduzione e commutazione controllato negli alimentatori e nei circuiti correlati.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione massima da drain a sorgente di 600 V consente progetti ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 9 A supporta una notevole capacità di carico
• Rds(on) di 360 mΩ limita le perdite di conduzione alle correnti di esercizio
• La carica gate tipica di 13 nC riduce l'energia di commutazione e le sollecitazioni
• Il gate-to-source massimo di 20 V resiste a margini di azionamento robusti
• La dissipazione di potenza di 41 W consente un carico termico significativo

Applicazioni


• Adatto per alimentatori switching offline
• Ideale per convertitori CC-CC ad alta tensione
• Utilizzato con topologie di commutazione a ponte e a morsetto
• Può essere utilizzato per le estremità frontali di azionamento di motori industriali
• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione delle telecomunicazioni

Quali sono le considerazioni di imballaggio e montaggio da prendere in considerazione?


Viene fornito in un contenitore TO-252 destinato all'assemblaggio a montaggio superficiale

garantire un modello di terra e vie termiche adeguati se è richiesta la diffusione del calore a livello di scheda.

In che modo il campo termico influisce sull'implementazione?


Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, pertanto può essere utilizzato in ambienti con variazioni di temperatura estreme senza declassamento per gli estremi ambientali all'interno di tale intervallo.

Quali sono i vincoli dell'azionamento del gate durante il layout?


Tenere i cavi di gate corti per ridurre al minimo l'induttanza data la carica di gate di 13 nC e rispettare il limite assoluto da gate a sorgente di ±20 V durante l'azionamento e le condizioni transitorie.

Come valutare la capacità di corrente nel mio progetto?


Utilizzare la corrente nominale di drenaggio continuo di 9 A come base e verificare la resistenza termica e il raffreddamento a livello di sistema per mantenere le temperature di giunzione entro i limiti specificati.

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