MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 360 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN60R360P7SATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2543
Codice costruttore:
IPN60R360P7SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

SOT-223

Serie

IPN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

111W

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

8.8mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.8mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 supergiunzione (SJ) è progettato per risolvere le sfide tipiche del mercato degli SMPS a bassa potenza, offrendo eccellenti prestazioni e facilità d'uso, consentendo fattori di forma e competitività dei prezzi migliorati.......... Il modello Infineon CoolMOS SJ (Supergiunzione) Il contenitore SOT-223 è un'alternativa drop-in one-to-one conveniente rispetto ai DPAK che consente anche la riduzione dell'ingombro in alcuni progetti. Può essere posizionato su un tipico ingombro DPAK e mostra prestazioni termiche paragonabili. Questa combinazione rende CoolMOS™ P7 in SOT-223 una soluzione perfetta per le applicazioni target.

Tecnologia di supergiunzione ad alte prestazioni

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Miglior rapporto prezzo/prestazioni della categoria

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