MOSFET Infineon, canale N 600 V, 360 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 217-2542
- Codice costruttore:
- IPN60R360P7SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 3000 unità, in una bobina da 3000*
957,00 €
(IVA esclusa)
1167,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,319 € | 957,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2542
- Codice costruttore:
- IPN60R360P7SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 360mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 111W | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 8.8mm | |
| Larghezza | 8.8mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 360mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 111W | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 8.8mm | ||
Larghezza 8.8mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie IPN, tensione massima drain source 600 V, dissipazione di potenza massima 111 W - IPN60R360P7SATMA1
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua di 9 A supporta carichi di potenza moderati
• Rds(on) di 360 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione in condizioni nominali
• La dissipazione di potenza di 111 W consente una gestione termica sostenuta
• La carica di gate tipica di 36 nC facilita un comportamento di commutazione prevedibile
Applicazioni
• Ideale per gli stadi di uscita dei convertitori CC-CC
• Utilizzato con alimentatori che richiedono componenti a montaggio superficiale
• Può essere utilizzato per gli interruttori del driver del motore nei circuiti di controllo
• Adatto per la gestione dell'alimentazione a livello di linea nelle apparecchiature industriali
Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati durante il funzionamento?
Quale intervallo termico può resistere il dispositivo in servizio?
Quanti collegamenti elettrici fornisce per il montaggio su circuito stampato?
Qual è la caduta in avanti tipica durante la conduzione nel percorso del diodo in avanti?
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