MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 600 mΩ Miglioramento, 16 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN60R600P7SATMA1

Il MOSFET Infineon Cool MOS P7 super Junction (SJ) è progettato per risolvere i problemi tipici del mercato degli SMPS a bassa potenza, offrendo eccellenti prestazioni e facilità d'uso, consentendo fattori di forma e competitività dei prezzi migliorati........... Il modello Infineon Super Junction. (SJ). Il MOSFET a bassa potenza offre prestazioni eccellenti e facilità d'uso. Il contenitore SOT-223 è un'alternativa drop-in one-to-one conveniente rispetto ai DPAK che consente anche la riduzione dell'ingombro in alcuni progetti. Può essere posizionato su un tipico ingombro DPAK e mostra prestazioni termiche paragonabili. Questa combinazione rende Cool MOS P7 in SOT-223 una soluzione perfetta per le applicazioni target. I modelli 700V e 800V Cool MOS P7 sono ottimizzati per topologie fly-back. Il MOSFET P7 Cool MOS 600V SJ è adatto per topologie di commutazione sia hard che so (Fly BACK, PFC e LLC).

Facilità d'uso e design rapido grazie alla bassa tendenza al ringing e l'utilizzo