MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 3 mΩ, 3 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

528,00 €

(IVA esclusa)

645,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 05 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 30000,176 €528,00 €
6000 +0,167 €501,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
244-2266
Codice costruttore:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

SOT-223

Serie

IPN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a supergiunzione CoolMOS™ PFD7 da 600 V di Infineon (IPN60R2K0PFD7S) completa l'offerta CoolMOS™ 7 per le applicazioni consumer. Questa famiglia di prodotti è stata concepita per progetti ad altissima densità di potenza e massima efficienza.

Perdite estremamente ridotte grazie a FOM, RDS(on)*Qg e RDS(on)*Eoss molto bassi

Basse perdite di commutazione Eoss, eccellente comportamento termico

Corpo diodo veloce

Ampia gamma di RDS(on) e varianti di package

Diodo Zener integrato

Link consigliati