MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 3 mΩ, 6.1 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 244-2272
- Codice costruttore:
- IPN95R3K7P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,297 € | 891,00 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-2272
- Codice costruttore:
- IPN95R3K7P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 950V | |
| Serie | IPN | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 950V | ||
Serie IPN | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
I MOSFET CoolMOS™ P7 Infineon Technologies offrono il miglior rapporto prezzo/prestazioni della categoria con un'eccellente facilità d'uso per affrontare le sfide di varie applicazioni. I MOSFET P7 sono completamente ottimizzati per le topologie hard e soft-switching.
FOM migliore della categoria RDS(on)*(Eoss) energia dissipata da Coss (capacità di uscita); capacità di gate (Qg), di ingresso e di uscita ridotte
RDS(on) SOT-223 migliore della categoria
V(GS)th migliore della categoria di 3 V e variazione V(GS)th minima di ±0,5 V
Protezione ESD con diodo Zener integrato
Qualità e affidabilità CoolMOS™ migliori della categoria
Portafoglio completamente ottimizzato
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