MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 3 mΩ, 6.1 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN50R2K0CEATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-2263
Codice costruttore:
IPN50R2K0CEATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

IPN

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET di potenza CoolMOS™ CE di Infineon costituiscono una piattaforma tecnologica di MOSFET di potenza ad alta tensione, progettati secondo il principio della supergiunzione (SJ) e concepiti per soddisfare le esigenze dei consumatori.

Perdite estremamente basse grazie a FOM Rdson Qg ed Eoss molto bassi.

Elevata robustezza di commutazione.

Facilità d'uso/gestione.

Placcatura senza Pb, composto per stampi senza alogeni.

Qualificato per applicazioni di grado standard.

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