MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 3 mΩ, 3 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN60R2K0PFD7SATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-2267
Codice costruttore:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IPN

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a supergiunzione CoolMOS™ PFD7 da 600 V di Infineon (IPN60R2K0PFD7S) completa l'offerta CoolMOS™ 7 per le applicazioni consumer. Questa famiglia di prodotti è stata concepita per progetti ad altissima densità di potenza e massima efficienza.

Perdite estremamente ridotte grazie a FOM, RDS(on)*Qg e RDS(on)*Eoss molto bassi

Basse perdite di commutazione Eoss, eccellente comportamento termico

Corpo diodo veloce

Ampia gamma di RDS(on) e varianti di package

Diodo Zener integrato

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