MOSFET Infineon, canale N 650 V, 3 mΩ, 3 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN60R2K0PFD7SATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-2267
Codice costruttore:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IPN

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a supergiunzione CoolMOS™ PFD7 da 600 V di Infineon (IPN60R2K0PFD7S) completa l'offerta CoolMOS™ 7 per le applicazioni consumer. Questa famiglia di prodotti è stata concepita per progetti ad altissima densità di potenza e massima efficienza.

Perdite estremamente ridotte grazie a FOM, RDS(on)*Qg e RDS(on)*Eoss molto bassi

Basse perdite di commutazione Eoss, eccellente comportamento termico

Corpo diodo veloce

Ampia gamma di RDS(on) e varianti di package

Diodo Zener integrato

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