Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 3 mΩ, 100 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN60R360PFD7SATMA1

Codice RS:: 244-2269
Codice costruttore:: IPN60R360PFD7SATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 3 mΩ, 100 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN60R360PFD7SATMA1

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50 - 120	1,232 €	6,16 €
125 - 245	1,154 €	5,77 €
250 - 495	1,082 €	5,41 €
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*prezzo indicativo

Codice RS:: 244-2269
Codice costruttore:: IPN60R360PFD7SATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	SOT-223
	Serie	IPN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	3mΩ
	Dissipazione di potenza massima Pd	81W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package SOT-223
	Serie IPN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ
	Dissipazione di potenza massima Pd 81W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - IPN60R360PFD7SATMA1

Il MOSFET a supergiunzione CoolMOS™ PFD7 da 600 V di Infineon (IPN60R360PFD7S) completa l'offerta CoolMOS™ 7 per le applicazioni consumer. L'IPN60R360PFD7S in un contenitore SOT-223 è dotato di RDS(on) da 360 mOhm che si traduce in basse perdite di commutazione.

FOM RDS(on) x Eoss molto bassi

Robusto diodo a corpo rapido integrato

Protezione ESD fino a 2 kV

Ampia gamma di valori RDS(on)

Eccellente robustezza di commutazione

Basso livello di EMI

Ampia gamma di formati

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MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 3 mΩ, 100 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN60R360PFD7SATMA1

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