MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 120 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN95R1K2P7ATMA1
- Codice RS:
- 219-6005
- Codice costruttore:
- IPN95R1K2P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 219-6005
- Codice costruttore:
- IPN95R1K2P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 950V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 120mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 7W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.7 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.8mm | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 950V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 120mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 7W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.7 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.8mm | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La Infineon progettata per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nel settore dei MOSFET ad alta tensione, la più recente tecnologia 950V CoolMOS™ P7 è incentrata sul mercato degli SMPS a bassa potenza. In grado di offrire una tensione di blocco maggiore di 50V rispetto al modello precedente 900V CoolMOS™ C3, la serie 950V CoolMOS™ P7 offre prestazioni eccezionali in termini di efficienza, comportamento termico e facilità d'uso. Come tutti gli altri componenti della famiglia P7, la serie 950V CoolMOS™ P7 viene fornita con una protezione ESD con diodo Zener integrato. Il diodo integrato migliora notevolmente la robustezza ESD, riducendo così la perdita di snervamento correlata alle ESD e raggiungendo livelli eccezionali di facilità d'uso. CoolMOS™ P7 è sviluppato con la migliore VGS(th) della classe 3V e una tolleranza stretta di soli ± 0,5 V, il che lo rende facile da azionare e progettare.
VGS(th) migliore della categoria di 3V e variazione VGS(th) minima di ±0,5 V.
Diodo Zener integrato con protezione ESD fino alla classe 2 (HBM)
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