MOSFET Infineon, canale Tipo N 950 V, 120 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN95R1K2P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-6005
Codice costruttore:
IPN95R1K2P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

950V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.8mm

Larghezza

3.7 mm

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La Infineon progettata per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nel settore dei MOSFET ad alta tensione, la più recente tecnologia 950V CoolMOS™ P7 è incentrata sul mercato degli SMPS a bassa potenza. In grado di offrire una tensione di blocco maggiore di 50V rispetto al modello precedente 900V CoolMOS™ C3, la serie 950V CoolMOS™ P7 offre prestazioni eccezionali in termini di efficienza, comportamento termico e facilità d'uso. Come tutti gli altri componenti della famiglia P7, la serie 950V CoolMOS™ P7 viene fornita con una protezione ESD con diodo Zener integrato. Il diodo integrato migliora notevolmente la robustezza ESD, riducendo così la perdita di snervamento correlata alle ESD e raggiungendo livelli eccezionali di facilità d'uso. CoolMOS™ P7 è sviluppato con la migliore VGS(th) della classe 3V e una tolleranza stretta di soli ± 0,5 V, il che lo rende facile da azionare e progettare.

VGS(th) migliore della categoria di 3V e variazione VGS(th) minima di ±0,5 V.

Diodo Zener integrato con protezione ESD fino alla classe 2 (HBM)

Qualità e affidabilità migliori della categoria

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