MOSFET Infineon, canale N, 950 mΩ, 6,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-5927
Codice costruttore:: IPN50R950CEATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 950 mΩ, 6,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,133 €

(IVA esclusa)

0,162 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,133 €	399,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-5927
Codice costruttore:: IPN50R950CEATMA1
Costruttore:: Infineon

IPN50R950CE, MOSFET 500V CoolMOS CE Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	6,6 A
Tensione massima drain source	550 V
Serie	CoolMOS™ CE
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	950 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	3.7mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	10,5 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-40 °C
Tensione diretta del diodo	0.83V
Altezza	1.7mm

MOSFET Infineon, canale N, 950 mΩ, 6,6 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza CE Infineon CoolMOS™

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