MOSFET Infineon, canale N, 1,4 Ω, 4,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 130-0911
Codice costruttore:: IPN50R1K4CEATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1,4 Ω, 4,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per confezione**
25 - 225	0,401 €	10,025 €
250 - 600	0,301 €	7,525 €
625 - 1225	0,281 €	7,025 €
1250 - 2475	0,261 €	6,525 €
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**prezzo indicativo

Codice RS:: 130-0911
Codice costruttore:: IPN50R1K4CEATMA1
Costruttore:: Infineon

IPN50R1K4CE, MOSFET 500V CoolMOS CE Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,8 A
Tensione massima drain source	550 V
Serie	CoolMOS™ CE
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,4 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	6.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	8,2 nC a 10 V
Tensione diretta del diodo	0.83V
Minima temperatura operativa	-40 °C
Altezza	1.7mm

MOSFET Infineon, canale N, 1,4 Ω, 4,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza CE Infineon CoolMOS™

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