MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 1.4 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN80R1K4P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4402
Codice costruttore:
IPN80R1K4P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

SOT-223

Serie

800V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Dissipazione di potenza massima Pd

7W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.7mm

Altezza

1.8mm

Larghezza

3.7 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS Infineon 800V è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni fly-back tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e alimentazione industriale.

Ha un portafoglio completamente ottimizzato

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