MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 120 mA, 3 Pin, SOT-223, Superficie BSP296NH6433XTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0534
Codice costruttore:
BSP296NH6433XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

120mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-223

Serie

BSP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor a piccolo segnale OptiMOS di Infineon è a canale N, in modalità Enhancement e con livello logico nominale di 4,5 V. È testato a valanga, senza piombo e non contiene alogeni.

Classificato antivalanga e senza piombo al 100%

Vds è di 100 V e Id è di 1,2 A

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