MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Depletion, 0.12 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 250-0531
- Codice costruttore:
- BSP149H6906XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,645 € | 645,00 € |
| 2000 - 2000 | 0,613 € | 613,00 € |
| 3000 + | 0,574 € | 574,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 250-0531
- Codice costruttore:
- BSP149H6906XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 0.12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | BSP | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 0.12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie BSP | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Modalità canale Depletion | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Infineon rende il transistor MOSFET di piccolo segnale in modalità di esaurimento canale N ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. È dotato di valore nominale dv/dt e disponibile con indicatore VGS(th) sulla bobina. La VDS è di 200 V, RDS(on)max è di 3,5 Ω mentre IDSS, min è di 0,14 A.
Placcatura del conduttore senza piombo e senza alogeni
Viene fornito in un SOT233
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