MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.4 mΩ Depletion, 120 mA, 3 Pin, SOT-223, Superficie BSP129H6906XTSA1
- Codice RS:
- 250-0530
- Codice costruttore:
- BSP129H6906XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 250-0530
- Codice costruttore:
- BSP129H6906XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | BSP | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie BSP | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Modalità canale Depletion | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie SIPMOS®, 280 mA di corrente continua massima di scarico, 1,8W di dissipazione di potenza massima - BSP129H6906XTSA1
Questo transistor a piccolo segnale è una soluzione efficace per i dispositivi che richiedono alta tensione e capacità di montaggio in superficie. Come MOSFET a canale N in modalità depletion, consente un funzionamento efficiente in diverse applicazioni elettroniche. Con una tensione massima di drain-source di 240 V e una capacità di corrente di drain continua di 280 mA, questo prodotto è particolarmente adatto alle applicazioni di automazione e automotive e rappresenta una scelta affidabile per la gestione dell'alimentazione in diversi circuiti elettronici.
Caratteristiche e vantaggi
• La configurazione a canale N supporta operazioni di commutazione efficienti
• La funzionalità della modalità di esaurimento garantisce prestazioni a corrente costante
• I valori di tensione elevati offrono versatilità nelle applicazioni
• La bassa tensione di soglia del gate migliora la compatibilità del sistema
• Il design per il montaggio in superficie consente installazioni efficienti dal punto di vista dello spazio
• Qualificato AEC-Q101, adatto all'uso automobilistico
Applicazioni
• Adatto ai sistemi di controllo per autoveicoli
• Può essere utilizzato nei circuiti di gestione dell'alimentazione
• Elettronica di consumo per una maggiore efficienza
Come si può garantire una corretta installazione per ottenere prestazioni ottimali?
Installare il MOSFET sul PCB seguendo le linee guida di montaggio specificate, assicurando una corretta gestione termica per un'efficace dissipazione del calore.
Che cosa si deve considerare per la gestione termica durante il funzionamento?
La resistenza termica deve essere monitorata, poiché la temperatura operativa varia da -55°C a +150°C, il che richiede una progettazione adeguata del circuito stampato per facilitare una conduzione efficiente del calore.
Quale tipo di azionamento per cancelli è consigliato per questo prodotto?
Una tensione di gate compresa nell'intervallo specificato di ±20V è essenziale per ottenere caratteristiche di commutazione ottimali, garantendo un funzionamento affidabile in tutte le applicazioni.
Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni di commutazione ad alta velocità?
Sì, è progettato per funzionare efficacemente in scenari di commutazione ad alta velocità, grazie ai tempi di ritardo di accensione e spegnimento specificati.
Che cosa si deve notare riguardo alle caratteristiche della carica di gate?
La carica totale del gate a 5 V è di circa 3,8nC, ottimizzando l'efficienza di potenza durante la commutazione senza gravare eccessivamente sui circuiti di pilotaggio.
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