MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 45 Ω Depletion, 120 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
911-4805
Codice costruttore:
BSP135H6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.5mm

Altezza

1.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.5 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, 120 mA di corrente di scarico continua massima, 1,8W di dissipazione di potenza massima - BSP135H6327XTSA1


Questo MOSFET è destinato ad applicazioni di commutazione efficienti, noto per le sue elevate capacità di gestione della tensione e per il profilo a basso consumo energetico. Essendo un MOSFET a canale singolo N in modalità di deplezione, è adatto a varie applicazioni elettroniche che richiedono soluzioni compatte per il montaggio in superficie. Con una tensione massima di drain-source di 600 V, è la scelta ideale per i settori automobilistico e della gestione dell'alimentazione che privilegiano l'efficienza e l'affidabilità.

Caratteristiche e vantaggi


• Utilizza la tecnologia SIPMOS® per una maggiore efficienza

• Supporta capacità di alta tensione fino a 600 V per garantire l'affidabilità operativa

• Il basso consumo di energia, pari a 120 mA, migliora l'efficienza energetica

• Progettato per applicazioni a montaggio superficiale, offre vantaggi in termini di risparmio di spazio

• Protezione ESD con valore nominale di 1A per salvaguardare i circuiti sensibili

• Qualificato per il settore automobilistico secondo AEC-Q101, conforme agli standard industriali

Applicazioni


• Adatto per soluzioni di gestione dell'alimentazione nei dispositivi elettronici

• Utilizzato in bassa tensione con capacità di alta tensione

• Integrato nell'imballaggio per una gestione termica efficiente

• Utilizzato nei circuiti di controllo che richiedono componenti robusti

Quali sono le implicazioni dei valori di resistenza termica per le prestazioni?


La resistenza termica indica l'efficacia della dissipazione del calore del dispositivo, garantendo il funzionamento entro limiti di sicurezza durante l'uso continuo. Valori di resistenza termica più bassi possono aumentare le prestazioni migliorando la gestione del calore, in particolare nelle applicazioni ad alta corrente.

Questo MOSFET è in grado di gestire applicazioni di commutazione ad alta frequenza?


Sì, presenta caratteristiche di bassa carica di gate che consentono un funzionamento efficiente in ambienti ad alta frequenza, rendendolo adatto a una varietà di applicazioni elettroniche moderne.

Cosa bisogna considerare per quanto riguarda l'installazione e la compatibilità?


È importante verificare che il tipo di montaggio sia in linea con il progetto della scheda di circuito per ottimizzare le prestazioni ed evitare potenziali problemi di gestione termica o di connettività.

In che modo la dissipazione di potenza massima influisce sulla sua applicazione?


Con una dissipazione di potenza massima di 1,8 W, è essenziale assicurarsi che l'utilizzo non superi questo limite per evitare il surriscaldamento e potenziali guasti. Un'adeguata gestione termica è fondamentale nella progettazione.

Quali sono le limitazioni relative alla tensione gate-source?


La tensione gate-source può variare da -20V a +20V, che deve essere rispettata per mantenere un funzionamento efficace senza danneggiare il dispositivo o comprometterne le prestazioni.

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