MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 1.8 Ω Depletion, 660 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie

Codice RS:: 911-4808
Codice costruttore:: BSP149H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 1.8 Ω Depletion, 660 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

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Codice RS:: 911-4808
Codice costruttore:: BSP149H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	660mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	200V
	Serie	SIPMOS
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.8Ω
	Modalità canale	Depletion
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.8W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	11nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	3.5mm
	Altezza	1.6mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.5mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 660mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V
	Serie SIPMOS
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.8Ω
	Modalità canale Depletion
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.8W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 3.5mm
	Altezza 1.6mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.5mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Paese di origine:: MY

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corrente di scarico continua massima di 660mA, dissipazione di potenza massima di 1,8W - BSP149H6327XTSA1

Questo MOSFET è un componente essenziale progettato per una serie di applicazioni elettroniche, che offre prestazioni efficienti in un pacchetto compatto a montaggio superficiale. È adatto al controllo dei circuiti di automazione e si rivolge agli utenti dei settori elettronico, elettrico e meccanico. La caratteristica della modalità di esaurimento migliora il controllo delle applicazioni di commutazione, rendendola una scelta adatta agli ingegneri.

Caratteristiche e vantaggi

• Tensione massima drain-source di 200 V per applicazioni ad alta tensione

• Capacità di corrente di drenaggio continua fino a 660mA

• Utilizza la tecnologia SIPMOS per prestazioni costanti

• Conformi alla direttiva RoHS con placcatura al piombo senza Pb

• dv/dt per una maggiore resistenza alle variazioni di tensione

Applicazioni

• Driver nei sistemi di automazione

• Alimentatori switching per la gestione dell'energia

• Elettronica per autoveicoli conforme agli standard AEC-Q101

Qual è il significato della caratteristica della modalità di esaurimento?

La modalità di esaurimento consente un controllo efficiente del MOSFET, che permette una commutazione efficace anche a tensioni inferiori, vantaggiosa in diversi progetti elettronici.

Come gestisce il dispositivo le sfide termiche?

Funziona in un ampio intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, garantendo prestazioni affidabili anche in condizioni termiche estreme, grazie alle sue efficaci capacità di gestione termica.

Quali sono i valori di tensione di soglia del gate per questo componente?

La tensione di soglia del gate varia da -2,1V a -1V, offrendo opzioni di commutazione versatili per i diversi requisiti dei circuiti.

Quali sono le implicazioni della classificazione della classe ESD?

La classe ESD 1B indica un design in grado di resistere a livelli di scarica elettrostatica compresi tra 500V e 600V, migliorando l'affidabilità del dispositivo nelle applicazioni sensibili.