MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 1.8 Ω Depletion, 660 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
911-4808
Codice costruttore:
BSP149H6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

660mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

SIPMOS

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.5 mm

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corrente di scarico continua massima di 660mA, dissipazione di potenza massima di 1,8W - BSP149H6327XTSA1


Questo MOSFET è un componente essenziale progettato per una serie di applicazioni elettroniche, che offre prestazioni efficienti in un pacchetto compatto a montaggio superficiale. È adatto al controllo dei circuiti di automazione e si rivolge agli utenti dei settori elettronico, elettrico e meccanico. La caratteristica della modalità di esaurimento migliora il controllo delle applicazioni di commutazione, rendendola una scelta adatta agli ingegneri.

Caratteristiche e vantaggi


• Tensione massima drain-source di 200 V per applicazioni ad alta tensione

• Capacità di corrente di drenaggio continua fino a 660mA

• Utilizza la tecnologia SIPMOS per prestazioni costanti

• Conformi alla direttiva RoHS con placcatura al piombo senza Pb

• dv/dt per una maggiore resistenza alle variazioni di tensione

Applicazioni


• Driver nei sistemi di automazione

• Alimentatori switching per la gestione dell'energia

• Elettronica per autoveicoli conforme agli standard AEC-Q101

Qual è il significato della caratteristica della modalità di esaurimento?


La modalità di esaurimento consente un controllo efficiente del MOSFET, che permette una commutazione efficace anche a tensioni inferiori, vantaggiosa in diversi progetti elettronici.

Come gestisce il dispositivo le sfide termiche?


Funziona in un ampio intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, garantendo prestazioni affidabili anche in condizioni termiche estreme, grazie alle sue efficaci capacità di gestione termica.

Quali sono i valori di tensione di soglia del gate per questo componente?


La tensione di soglia del gate varia da -2,1V a -1V, offrendo opzioni di commutazione versatili per i diversi requisiti dei circuiti.

Quali sono le implicazioni della classificazione della classe ESD?


La classe ESD 1B indica un design in grado di resistere a livelli di scarica elettrostatica compresi tra 500V e 600V, migliorando l'affidabilità del dispositivo nelle applicazioni sensibili.

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