MOSFET Infineon, canale N, 1,8 Ω, 660 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 911-4808
Codice costruttore:: BSP149H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1,8 Ω, 660 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 911-4808
Codice costruttore:: BSP149H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	660 mA
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,8 Ω
Modalità del canale	Depletion
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	11 nC a 5 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.5mm
Larghezza	3.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.6mm

MOSFET Infineon, canale N, 1,8 Ω, 660 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

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