MOSFET Infineon, canale N, 1,8 Ω, 660 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Name: MOSFET Infineon, canale N, 1,8 Ω, 660 mA, SOT-223, Montaggio superficiale
Brand: Infineon
SKU: 354-5720
Price: 1.56 EUR

Documentazione Tecnica (2)

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	660 mA
Tensione massima drain source	200 V
Serie	SIPMOS®
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,8 Ω
Modalità del canale	Depletion
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.5mm
Lunghezza	6.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	11 nC a 5 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C