MOSFET Infineon, canale N, 1,8 Ω, 660 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 826-9272
Codice costruttore:: BSP297H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1,8 Ω, 660 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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Prezzo per 1pz in confezione da 50

0,703 €

(IVA esclusa)

0,858 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per confezione*
50 - 50	0,703 €	35,15 €
100 - 200	0,464 €	23,20 €
250 - 450	0,436 €	21,80 €
500 - 1200	0,408 €	20,40 €
1250 +	0,38 €	19,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 826-9272
Codice costruttore:: BSP297H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	660 mA
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.8V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	12,9 nC @ 10 V
Larghezza	3.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.6mm