MOSFET Infineon, canale N, 1,8 Ω, 660 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 826-9272
Codice costruttore:: BSP297H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1,8 Ω, 660 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 826-9272
Codice costruttore:: BSP297H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corrente di scarico continua massima di 660mA, dissipazione di potenza massima di 1,8W - BSP297H6327XTSA1

Questo MOSFET è stato progettato per garantire prestazioni di commutazione efficienti in diverse applicazioni elettroniche. Con una corrente di drenaggio continua massima di 660 mA e una tensione di rottura di 200 V, è adatto all'uso in vari ambienti. Il suo design a montaggio superficiale semplifica l'integrazione nei sistemi automatizzati, rendendolo applicabile sia nel settore elettronico che in quello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi

• La configurazione a canale N migliora l'efficienza di commutazione
• La bassa tensione di soglia del gate garantisce la compatibilità con i livelli logici
• Gli alti valori di tensione sono adatti a una vasta gamma di applicazioni
• Le migliori capacità di dissipazione della potenza supportano una gestione termica efficace
• La qualifica AEC-Q101 aderisce agli standard dell'industria automobilistica
• Il package compatto SOT-223 supporta progetti efficienti dal punto di vista dello spazio

Applicazioni

• Utilizzato per il controllo dei motori nei sistemi automobilistici
• Applicato alla gestione dell'energia per l'elettronica di consumo
• Utilizzato nei sistemi di gestione delle batterie per la regolazione dell'energia
• Impiegato nell'amplificazione del segnale all'interno dei dispositivi di comunicazione
• Ideale per gli alimentatori a commutazione che migliorano l'efficienza

Qual è la temperatura massima di funzionamento per ottenere prestazioni ottimali?

Il componente può funzionare efficacemente a temperature fino a +150°C, garantendo la stabilità in condizioni di alta temperatura.

Come deve essere installato il MOSFET per ottenere i migliori risultati?

Utilizza la tecnologia di montaggio superficiale per l'installazione su un PCB compatibile, assicurando una corretta saldatura per mantenere l'integrità della connessione.

Di che tipo di materiali è fatto questo MOSFET?

È costruito in silicio (Si), il che contribuisce alle sue prestazioni e alla sua affidabilità nei vari utilizzi.

È in grado di resistere a condizioni di tensione elevate durante il funzionamento?

Sì, ha una tensione di breakdown drain-source massima di 200 V, che lo rende adatto ad applicazioni ad alta tensione.

In che modo la carica del gate influisce sulle sue prestazioni?

La carica totale tipica del gate è di 12,9nC a 10V, garantendo tempi di commutazione rapidi e una maggiore efficienza del circuito.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	660 mA
Tensione massima drain source	200 V
Serie	SIPMOS®
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.8V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.5mm
Carica gate tipica @ Vgs	12,9 nC @ 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.5mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.6mm
Tensione diretta del diodo	1.2V