MOSFET Vishay, canale P, 500 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-0824
Codice costruttore:: IRFL9014TRPBF
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 500 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

0,317 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,317 €	792,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-0824
Codice costruttore:: IRFL9014TRPBF
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	1,8 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	500 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC @ 10 V
Lunghezza	6.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.45mm

MOSFET Vishay, canale P, 500 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

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