MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 270 mΩ Miglioramento, 1.8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
166-1014
Codice costruttore:
BSP372NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-223

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

270mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.6mm

Lunghezza

6.5mm

Larghezza

3.5 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY

MOSFET a segnale ridotto Infineon OptiMOS™


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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