MOSFET Infineon, canale N 100 V, 270 mΩ Miglioramento, 1.8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
166-1014
Codice costruttore:
BSP372NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

1.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

270mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Larghezza

3.5mm

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima drain source di 100 V, dissipazione di potenza massima di 1,8 W - BSP372NH6327XTSA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione a montaggio superficiale progettato per l'uso nei casi in cui è richiesto un controllo compatto a canale N ad alta tensione. Funziona in un ampio intervallo di temperature adatto ad ambienti difficili ed è progettato per applicazioni che richiedono una corrente continua moderata con un comportamento di commutazione efficiente.

Caratteristiche e vantaggi:


• La funzionalità drain‐source da 100 V supporta i circuiti ad alta tensione
• Il basso valore di RDS(on) di 270 mΩ riduce le perdite di conduzione
• corrente di drenaggio continua di 1,8 A per una gestione costante del carico
• La carica di gate tipica di 9,5 nC consente una risposta rapida dell'azionamento
• La dissipazione di potenza di 1,8 W gestisce lo stress termico in SOT‐223
• L'azionamento gate massimo di 20 V consente una progettazione flessibile dell'azionamento gate

Applicazioni


• Adatto per sottosistemi elettronici automobilistici che richiedono parti robuste
• Ideale per convertitori CC-CC in moduli di alimentazione compatti
• Utilizzato con azionamenti per motori che necessitano di commutazione ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e per i circuiti di ricarica
• Utilizzato per la commutazione per impieghi generali nelle schede di controllo industriali

Quale contenitore consente una facile saldatura e un facile trasferimento termico?


Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale SOT‐223 che offre un equilibrio tra ingombro ridotto e una linguetta più grande per la dissipazione del calore.

In che modo è in grado di gestire condizioni ambientali estreme?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, coprendo avviamenti a bassa temperatura e scenari di funzionamento ad alta temperatura.

Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?


La tensione gate‐to‐source non deve superare ±20 V per rimanere entro limiti operativi sicuri.

Che tipo di canale e modalità utilizza?


Utilizza una topologia in modalità di potenziamento a canale N progettata per le attività di commutazione e controllo standard.

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