MOSFET Infineon, canale N, 270 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 110-7754
Codice costruttore:: BSP372NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 270 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 110-7754
Codice costruttore:: BSP372NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

BSP372N OptiMOS N-ch MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,8 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	OptiMOS™
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	270 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.8V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.5mm
Carica gate tipica @ Vgs	9,5 nC a 10 V
Lunghezza	6.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Tensione diretta del diodo	1.1V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.6mm

MOSFET Infineon, canale N, 270 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a segnale ridotto Infineon OptiMOS™

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