MOSFET Infineon, canale N 100 V, 270 mΩ Miglioramento, 1.8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP372NH6327XTSA1
- Codice RS:
- 110-7754
- Codice Distrelec:
- 304-36-977
- Codice costruttore:
- BSP372NH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 50 unità*
42,70 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,854 € | 42,70 € |
| 100 - 200 | 0,692 € | 34,60 € |
| 250 - 450 | 0,649 € | 32,45 € |
| 500 - 1200 | 0,606 € | 30,30 € |
| 1250 + | 0,555 € | 27,75 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 110-7754
- Codice Distrelec:
- 304-36-977
- Codice costruttore:
- BSP372NH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 270mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.8W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.5mm | |
| Altezza | 1.6mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 270mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.8W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.5mm | ||
Altezza 1.6mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima drain source di 100 V, dissipazione di potenza massima di 1,8 W - BSP372NH6327XTSA1
Caratteristiche e vantaggi:
• Il basso valore di RDS(on) di 270 mΩ riduce le perdite di conduzione
• corrente di drenaggio continua di 1,8 A per una gestione costante del carico
• La carica di gate tipica di 9,5 nC consente una risposta rapida dell'azionamento
• La dissipazione di potenza di 1,8 W gestisce lo stress termico in SOT‐223
• L'azionamento gate massimo di 20 V consente una progettazione flessibile dell'azionamento gate
Applicazioni
• Ideale per convertitori CC-CC in moduli di alimentazione compatti
• Utilizzato con azionamenti per motori che necessitano di commutazione ad alta tensione
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e per i circuiti di ricarica
• Utilizzato per la commutazione per impieghi generali nelle schede di controllo industriali
Quale contenitore consente una facile saldatura e un facile trasferimento termico?
In che modo è in grado di gestire condizioni ambientali estreme?
Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?
Che tipo di canale e modalità utilizza?
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