MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 445-2269
Codice costruttore:: BSP295H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 445-2269
Codice costruttore:: BSP295H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

BSP 295 SIPMOS ® Small-Signal Transistor Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,8 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	300 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	14 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.6mm

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MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

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