Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 270 mΩ Miglioramento, 1.8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP372NH6327XTSA1

Codice RS:: 110-7754P
Codice costruttore:: BSP372NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 270 mΩ Miglioramento, 1.8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP372NH6327XTSA1

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Codice RS:: 110-7754P
Codice costruttore:: BSP372NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	1.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	OptiMOS
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	270mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	9.5nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.8W
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.5mm
	Altezza	1.6mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 1.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie OptiMOS
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 270mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.5nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.8W
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.5mm
	Altezza 1.6mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

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Transistor MOSFET, Infineon

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