MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P -60 V, 500 mΩ Miglioramento, -1.8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie IRFL9014TRPBF
- Codice RS:
- 710-4654
- Codice costruttore:
- IRFL9014TRPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
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- IRFL9014TRPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -1.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -60V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | IRFL9014 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 500mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -5.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Altezza | 1.45mm | |
| Larghezza | 3.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id -1.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -60V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie IRFL9014 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 500mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -5.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Altezza 1.45mm | ||
Larghezza 3.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie IRFL9014 Vishay, tensione sorgente di drenaggio -60 V, resistenza sorgente di drenaggio 500 mΩ - IRFL9014TRPBF
Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in sistemi elettronici ed elettromeccanici. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per applicazioni che richiedono una commutazione high-side controllata e una robustezza termica in un contenitore Compact SOT‐223.
Caratteristiche e vantaggi:
• La configurazione del canale P consente una commutazione high-side semplificata
• Valore nominale per una resistenza drain‐to‐source di -60 V per margini di tensione robusti
• La corrente di drenaggio continua di -1,8 A supporta correnti di carico moderate
• La bassa resistenza all'accensione di 500 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica di gate tipica di 12 nC garantisce un comportamento di commutazione prevedibile
• La dissipazione di potenza di 3,1 W consente un funzionamento prolungato in contenitori ristretti
• Valore nominale per una resistenza drain‐to‐source di -60 V per margini di tensione robusti
• La corrente di drenaggio continua di -1,8 A supporta correnti di carico moderate
• La bassa resistenza all'accensione di 500 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La carica di gate tipica di 12 nC garantisce un comportamento di commutazione prevedibile
• La dissipazione di potenza di 3,1 W consente un funzionamento prolungato in contenitori ristretti
Applicazioni
• Adatto per la commutazione del carico high-side nei moduli di controllo dell'automazione
• Ideale per la gestione della batteria e i circuiti di controllo del percorso di alimentazione
• Utilizzato per reti di gate di azionamento motori in assemblaggi compatti
• Può essere utilizzato per la protezione contro la polarità e la prevenzione della corrente inversa
• Ideale per la gestione della batteria e i circuiti di controllo del percorso di alimentazione
• Utilizzato per reti di gate di azionamento motori in assemblaggi compatti
• Può essere utilizzato per la protezione contro la polarità e la prevenzione della corrente inversa
Quale intervallo di tensione di gate è consentito per i circuiti di controllo?
Il gate‐to‐source può essere azionato fino a 20 V, consentendo la compatibilità con una gamma di livelli di uscita del controller.
In che modo l'ambiente termico influisce sui limiti operativi?
Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, pertanto il design termico deve garantire che le temperature di giunzione rimangano all'interno di questa gamma per un funzionamento affidabile.
Quali considerazioni di montaggio si applicano ai progetti di schede compatte?
È fornito in un contenitore a montaggio superficiale SOT‐223 con quattro pin, che consente una saldatura diretta del circuito stampato e il trasferimento di calore al rame della scheda.
Quale robustezza elettrica devono aspettarsi i progettisti in condizioni di commutazione?
La tensione diretta specificata di -5,5 V e la carica tipica del gate di 12 nC informano i progettisti sui requisiti di azionamento e sui transienti di commutazione per un controllo del gate affidabile.
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