MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 1.8 Ω Miglioramento, 660 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9272P
Codice costruttore:
BSP297H6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

660mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.84V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corrente di scarico continua massima di 660mA, dissipazione di potenza massima di 1,8W - BSP297H6327XTSA1


Questo MOSFET è stato progettato per garantire prestazioni di commutazione efficienti in diverse applicazioni elettroniche. Con una corrente di drenaggio continua massima di 660 mA e una tensione di rottura di 200 V, è adatto all'uso in vari ambienti. Il suo design a montaggio superficiale semplifica l'integrazione nei sistemi automatizzati, rendendolo applicabile sia nel settore elettronico che in quello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi


• La configurazione a canale N migliora l'efficienza di commutazione

• La bassa tensione di soglia del gate garantisce la compatibilità con i livelli logici

• Gli alti valori di tensione sono adatti a una vasta gamma di applicazioni

• Le migliori capacità di dissipazione della potenza supportano una gestione termica efficace

• La qualifica AEC-Q101 aderisce agli standard dell'industria automobilistica

• Il package compatto SOT-223 supporta progetti efficienti dal punto di vista dello spazio

Applicazioni


• Utilizzato per il controllo dei motori nei sistemi automobilistici

• Applicato alla gestione dell'energia per l'elettronica di consumo

• Utilizzato nei sistemi di gestione delle batterie per la regolazione dell'energia

• Impiegato nell'amplificazione del segnale all'interno dei dispositivi di comunicazione

• Ideale per gli alimentatori a commutazione che migliorano l'efficienza

Qual è la temperatura massima di funzionamento per ottenere prestazioni ottimali?


Il componente può funzionare efficacemente a temperature fino a +150°C, garantendo la stabilità in condizioni di alta temperatura.

Come deve essere installato il MOSFET per ottenere i migliori risultati?


Utilizza la tecnologia di montaggio superficiale per l'installazione su un PCB compatibile, assicurando una corretta saldatura per mantenere l'integrità della connessione.

Di che tipo di materiali è fatto questo MOSFET?


È costruito in silicio (Si), il che contribuisce alle sue prestazioni e alla sua affidabilità nei vari utilizzi.

È in grado di resistere a condizioni di tensione elevate durante il funzionamento?


Sì, ha una tensione di breakdown drain-source massima di 200 V, che lo rende adatto ad applicazioni ad alta tensione.

In che modo la carica del gate influisce sulle sue prestazioni?


La carica totale tipica del gate è di 12,9nC a 10V, garantendo tempi di commutazione rapidi e una maggiore efficienza del circuito.

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