MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 300 mΩ Miglioramento, 1.8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
911-4827
Codice costruttore:
BSP295H6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SIPMOS

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

300mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Altezza

1.6mm

Larghezza

3.5 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon della serie SIPMOS®, corrente di drenaggio continua massima di 1,8A, dissipazione di potenza massima di 1,8W - BSP295H6327XTSA1


Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni ad alte prestazioni nell'automazione e nell'elettronica. La sua configurazione a canale N, combinata con un efficiente design a montaggio superficiale, consente un efficace controllo della corrente, rendendolo adatto a una serie di applicazioni industriali. Supporta una tensione massima di drain-source di 60 V, garantendo prestazioni costanti per diversi progetti.

Caratteristiche e vantaggi


• Gestisce continuamente una corrente di drenaggio di 1,8A

• Bassa resistenza massima drain-source di 300mΩ

• Ampio intervallo di tensione gate-source da -20V a +20V

• Qualificato secondo lo standard automobilistico AEC-Q101 per l'affidabilità

Applicazioni


• Sistemi di gestione della potenza per un controllo efficiente dell'uscita

• Azionamenti motore per operazioni di commutazione affidabili

• Amplificazione del segnale in vari dispositivi elettronici

• Unità di controllo elettronico per autoveicoli

Qual è la dissipazione di potenza tipica del componente?


Può dissipare fino a 1,8 W in condizioni specifiche per una gestione efficace del calore durante il funzionamento.

In che modo la tensione di soglia del gate influisce sulle prestazioni?


La tensione di soglia massima del gate è di 1,8 V, il che consente al MOSFET di ottenere prestazioni ottimali a bassi livelli di ingresso.

Questo componente è in grado di gestire correnti di drenaggio pulsate?


Sì, è classificato per una corrente di drenaggio pulsata fino a 6A, che gli consente di gestire efficacemente le condizioni transitorie.

Quali sono le opzioni di imballaggio disponibili?


Il MOSFET è disponibile in un contenitore a montaggio superficiale SOT-223, ottimizzato per progetti a basso ingombro.

Il dispositivo è conforme agli standard ambientali?


È dotato di placcatura al piombo senza Pb e aderisce alla conformità RoHS, soddisfacendo le normative ambientali contemporanee.

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