MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 911-4827
Codice costruttore:: BSP295H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)**

0,314 €

(IVA esclusa)

0,383 €

(IVA inclusa)

8095 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
1000 - 1000	0,314 €	314,00 €
2000 - 2000	0,299 €	299,00 €
3000 +	0,28 €	280,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 911-4827
Codice costruttore:: BSP295H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,8 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	300 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	14 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	3.5mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.5mm
Altezza	1.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

Link consigliati