MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 911-4827
Codice costruttore:: BSP295H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)

0,207 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
1000 +	0,207 €	207,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 911-4827
Codice costruttore:: BSP295H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,8 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	300 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.5mm
Carica gate tipica @ Vgs	14 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.6mm

MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 1,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

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