MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 300 mΩ Miglioramento, 1.9 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP170PH6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9250
Codice Distrelec:
304-44-412
Codice costruttore:
BSP170PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

300mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.6mm

Larghezza

3.5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale P Infineon SIPMOS®


I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS® dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in drain continua, come ad esempio corrente a -80 A oltre a un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Il transistor di potenza SIPMOS può essere utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, eMobility, notebook, dispositivi c.c./c.c. e il settore automobilistico.

· Qualifica AEC Q101 (si prega di fare riferimento alla scheda tecnica)

· Placcatura senza piombo; conformità RoHS

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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