MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 1.9 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie ISP25DP06NMXTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
243-9275
Codice costruttore:
ISP25DP06NMXTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

ISP

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

I transistor Infineon a canale P per piccoli segnali sono dotati di placcatura senza Pb. La corrente di drenaggio e la tensione drain-source del MOSFET sono rispettivamente -1,9 A e -60 V. Ha un valore di resistenza molto basso. La temperatura di esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

Tecnologia a montaggio superficiale

Disponibilità a livello logico

Facile interfaccia con l'unità microcontroller (MCU)

Commutazione rapida

Robustezza effetto valanga

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