MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 65 mΩ Miglioramento, -3.70 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
243-9276
Codice costruttore:
ISP650P06NMXTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-3.70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-223

Serie

ISP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie ISP, tensione massima drain-source 60 V, dissipazione di potenza massima 81 W - ISP650P06NMXTSA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in ambienti con temperature elevate. Funziona in un ampio intervallo termico ed è fornito in un pacchetto SOT‐223 compatto adatto per assemblaggi che richiedono un ingombro di gestione della potenza passante pur conservando l'area della scheda.

Caratteristiche e vantaggi:


• L'Rds(on) di 65 mΩ riduce le perdite di conduzione per un trasferimento di potenza efficiente
• La corrente di drenaggio continua di -3,70 A supporta il funzionamento con carico a stato stabile
• La carica di gate tipica di 80 nC consente una dinamica di commutazione controllata
• Il valore nominale drain‐source di 60 V consente applicazioni di commutazione a tensione più elevata
• La dissipazione di potenza di 81 W gestisce l'energia termica in contenitori compatti

Applicazioni


• Adatto per moduli di controllo automobilistici che richiedono resilienza alla temperatura
• Ideale per guide di alimentazione nell'elettronica di controllo industriale
• Utilizzato per la commutazione del carico nei sistemi di gestione delle batterie
• Può essere utilizzato per circuiti di commutazione a polarità inversa e high-side

A quali temperature ambientali può operare?


Funziona in un'ampia gamma da -55 °C a +150 °C, consentendo l'uso in condizioni termiche difficili.

Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza?


È fornito in un contenitore SOT‐223 progettato per il montaggio superficiale su schede a circuito stampato.

Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati?


La tensione nominale massima da gate-to-source è di 20 V e non deve essere superata per evitare danni.

È adatto per applicazioni di livello automobilistico?


È conforme alla norma AEC-Q101, che supporta la qualifica per le implementazioni elettroniche automobilistiche.

È conforme alle restrizioni sulle sostanze ambientali?


È conforme alla direttiva RoHS e soddisfa le restrizioni relative a determinati materiali pericolosi.

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