MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 1.7 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie ISP75DP06LMXTSA1
- Codice RS:
- 243-9279
- Codice costruttore:
- ISP75DP06LMXTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 243-9279
- Codice costruttore:
- ISP75DP06LMXTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
I transistor Infineon a canale P per piccoli segnali sono dotati di placcatura senza Pb. La corrente di drenaggio e la tensione drain-source del MOSFET sono rispettivamente -1,1 A e -60 V. Ha un valore di resistenza molto basso. La temperatura di esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
Tecnologia a montaggio superficiale
Disponibilità a livello logico
Facile interfaccia con l'unità microcontroller (MCU)
Commutazione rapida
Robustezza effetto valanga
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