MOSFET Infineon, canale P, 1,1 A, SOT-223, Montaggio superficiale

I transistor Infineon a canale P per piccoli segnali sono dotati di placcatura senza Pb. La corrente di drenaggio e la tensione drain-source del MOSFET sono rispettivamente -1,1 A e -60 V. Ha un valore di resistenza molto basso. La temperatura di esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

Tecnologia a montaggio superficiale
Disponibilità a livello logico
Facile interfaccia con l'unità microcontroller (MCU)
Commutazione rapida
Robustezza effetto valanga