MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 1.9 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie ISP25DP06LMXTSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

2,75 €

(IVA esclusa)

3,35 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 805 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 450,55 €2,75 €
50 - 1200,46 €2,30 €
125 - 2450,428 €2,14 €
250 - 4950,40 €2,00 €
500 +0,374 €1,87 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
243-9273
Codice costruttore:
ISP25DP06LMXTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-223

Serie

ISP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

I transistor Infineon a canale P per piccoli segnali sono dotati di placcatura senza Pb. La corrente di drenaggio e la tensione drain-source del MOSFET sono rispettivamente -1,9 A e -60 V. Ha un valore di resistenza molto basso. La temperatura di esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

Tecnologia a montaggio superficiale

Disponibilità a livello logico

Facile interfaccia con l'unità microcontroller (MCU)

Commutazione rapida

Robustezza effetto valanga

Link consigliati