MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 0.16 Ω, 1.9 A, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 257-5538
- Codice Distrelec:
- 304-40-532
- Codice costruttore:
- IRFL014NTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 bobina da 2500 unità*
645,00 €
(IVA esclusa)
787,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 2500 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,258 € | 645,00 € |
| 5000 - 5000 | 0,237 € | 592,50 € |
| 7500 + | 0,232 € | 580,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-5538
- Codice Distrelec:
- 304-40-532
- Codice costruttore:
- IRFL014NTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET Fifth Generation | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.16Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.1W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | Lead-Free | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie HEXFET Fifth Generation | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.16Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.1W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni Lead-Free | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET di Infineon è un HEXFET di quinta generazione di un raddrizzatore internazionale che utilizza tecniche di lavorazione avanzate per ottenere valori estremamente bassi.
Struttura a celle planari per un'ampia SOA
Ottimizzato per la più ampia disponibilità dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per le applicazioni di commutazione sotto<100 kHz
Pacchetto di montaggio superficiale standard del settore
Link consigliati
- MOSFET Infineon 0.16 Ω SOT-223, Superficie
- MOSFET Infineon 0.16 Ω SOT-223, Superficie IRFL014NTRPBF
- MOSFET Infineon 55 V SOT-223, Superficie
- MOSFET Infineon 55 V SOT-223, Superficie IRLL024ZTRPBF
- MOSFET Infineon 3.3 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 300 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 300 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie BSP170PH6327XTSA1