MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 0.16 Ω, 1.9 A, SOT-223, Superficie IRFL014NTRPBF

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

2,13 €

(IVA esclusa)

2,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
In magazzino
  • 4860 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 +0,213 €2,13 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-5817
Codice costruttore:
IRFL014NTRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET Fifth Generation

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.16Ω

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Lead-Free

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di Infineon è un HEXFET di quinta generazione di un raddrizzatore internazionale che utilizza tecniche di lavorazione avanzate per ottenere valori estremamente bassi.

Struttura a celle planari per un'ampia SOA

Ottimizzato per la più ampia disponibilità dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per le applicazioni di commutazione sotto<100 kHz

Pacchetto di montaggio superficiale standard del settore

Link consigliati