MOSFET Infineon 55 V, 5 A, SOT-223, Superficie IRLL024ZTRPBF
- Codice RS:
- 258-3997
- Codice costruttore:
- IRLL024ZTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3997
- Codice costruttore:
- IRLL024ZTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon è progettato specificatamente per le applicazioni automobilistiche, questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza on-state estremamente bassa per area di silicio. Le caratteristiche aggiuntive di questo design includono una temperatura d'esercizio di giunzione, una velocità di commutazione rapida e una migliore resistenza alle valanghe ripetitive. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e in un'ampia varietà di altre applicazioni.
Tecnologia di processo avanzata
Resistenza all'accensione estremamente bassa
Azionamento gate a livello logico
Temperatura d'esercizio 150 °C
Commutazione rapida
Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax
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