MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 33 mΩ Miglioramento, 5.2 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
911-4820
Codice costruttore:
BSP603S2LHUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

SOT-223

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6.5mm

Larghezza

3.5 mm

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q

MOSFET della serie Infineon OptiMOS™, corrente di drenaggio continua massima di 5,2A, dissipazione di potenza massima di 1,8W - BSP603S2LHUMA1


Questo MOSFET a canale N è stato progettato per garantire prestazioni efficienti in diverse applicazioni elettriche. Con una corrente di drenaggio continua massima di 5,2A e una tensione massima di drenaggio-sorgente di 55V, offre robuste funzionalità di gestione e controllo dell'alimentazione, rendendolo un componente importante per i professionisti dell'industria automobilistica ed elettronica.

Caratteristiche e vantaggi


• Il basso RDS(on) riduce al minimo la perdita di potenza durante il funzionamento

• La massima tensione di soglia del gate migliora l'efficienza di commutazione

• Il design a montaggio superficiale facilita l'integrazione in PCB compatti

• Qualificato AEC per soddisfare i rigorosi standard automobilistici

• Funzionamento ad alta temperatura fino a +150°C per una maggiore durata

Applicazioni


• Gestione dell'alimentazione nell'elettronica automobilistica

• Adatto per i convertitori DC-DC dei veicoli elettrici

• Utilizzato nel controllo dei motori per la robotica e l'automazione

• Interruttore di carico nell'elettronica di consumo

Qual è la carica tipica del gate a 10V?


La carica tipica del gate è di 31nC, per ottimizzare le prestazioni di commutazione a 10V.

È adatto per applicazioni in ambienti ad alta temperatura?


Sì, funziona in modo affidabile a temperature fino a +150°C, ideale per le condizioni più difficili.

Come fa questo componente a gestire carichi di corrente significativi?


Con una corrente di drenaggio continua massima di 5,2A, gestisce efficacemente carichi elevati mantenendo inalterate le prestazioni.

Questo MOSFET è in grado di ridurre efficacemente le perdite di energia?


Sì, la caratteristica di bassa RDS(on) riduce al minimo la resistenza di stato, contribuendo a ridurre le perdite di energia durante il funzionamento.

Questo prodotto rispetta gli standard ambientali?


Sì, è conforme alla direttiva RoHS, che garantisce la conformità agli standard di sicurezza ambientale per i componenti elettronici.

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